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[配件]服务器技术 DDR II 时代展望

作者: 来源: 添加时间:2006-5-23 13:04:24

■ DDR I 与 DDR II 技术特性

  DDR 的核心建立在SDRAM的基础上,但在速度和容量上有了提高。首先,它使用了更多、更先进的同步电路。其次,DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL,延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号。当数据有效时,存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16位输出一次,并且同步来自不同的双存储器模块的数据。DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同,仍在时钟上升沿进行传输。此外,传统SDRAM 的DQS接脚则用来在写入数据时做数据遮罩用。由于数据、数据控制信号与DM同步传输,不会有某个数据传输较快,而另外的数据传输较慢的skew以及Flight Time不相同的问题。此外,DDR 的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM上的颗粒相接时,维持相同的负载,减少对主板的影响。在内存架构上,传统SDRAM 属于×8组式,即内存核心中的I/O寄存器有8位数据I/O,但对于×8组的DDR SDRAM而言,内存核心中的I/O寄存器却是16位的,即在时钟信号上升沿时输出8位数据,在下降沿再输出8位数据,一个时钟周期总共可传输16位数据。 为了保持较高的数据传输率,电气信号必须要求能较快改变,因此,DDR 改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。尽管DDR的内存条依然保留原有的尺寸,但是插脚的数目已经从168Pin增加到184Pin了。

  由于DDR-I架构的局限性,当频率达到400MHz后,就很难再有所提升,所以很快就推出了 DDR II。

DDR I 与 DDR II 对比表
 DDR I DDR II
时钟频率100/133/166/200MHz200/266/333MHz
数据传输率200/266/333/400MBPS400/533/667MBPS
工作电压2.5V1.8V
针脚数184Pin200Pin、220Pin、240Pin
封装技术TSOP-II/CSPCSP(FBGA)封装
最大功率418毫瓦318毫瓦
预取设计2Bit4Bit
突发长度2/4/84/8
L-BANK数量最多4个最多8个
CL值1.5、2.5、3.5、33、4、5
AL值0、1、2、3、4
接口标准SSTL_2SSTL_18
系统最高P-BANK数量84
新增特性? COD、ODT、POSTED CAS

 相对来说,作为DDR的接班人的DDR II在总体仍保留了DDR-I的大部分特性,主要进行了以下几点改进:

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