[配件]服务器技术 DDR II 时代展望
作者: 来源: 添加时间:2006-5-23 13:04:24■ DDR I 与 DDR II 技术特性
DDR 的核心建立在SDRAM的基础上,但在速度和容量上有了提高。首先,它使用了更多、更先进的同步电路。其次,DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL,延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号。当数据有效时,存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16位输出一次,并且同步来自不同的双存储器模块的数据。DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同,仍在时钟上升沿进行传输。此外,传统SDRAM 的DQS接脚则用来在写入数据时做数据遮罩用。由于数据、数据控制信号与DM同步传输,不会有某个数据传输较快,而另外的数据传输较慢的skew以及Flight Time不相同的问题。此外,DDR 的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM上的颗粒相接时,维持相同的负载,减少对主板的影响。在内存架构上,传统SDRAM 属于×8组式,即内存核心中的I/O寄存器有8位数据I/O,但对于×8组的DDR SDRAM而言,内存核心中的I/O寄存器却是16位的,即在时钟信号上升沿时输出8位数据,在下降沿再输出8位数据,一个时钟周期总共可传输16位数据。 为了保持较高的数据传输率,电气信号必须要求能较快改变,因此,DDR 改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。尽管DDR的内存条依然保留原有的尺寸,但是插脚的数目已经从168Pin增加到184Pin了。
由于DDR-I架构的局限性,当频率达到400MHz后,就很难再有所提升,所以很快就推出了 DDR II。

DDR I 与 DDR II 对比表 | ||
| DDR I | DDR II | |
| 时钟频率 | 100/133/166/200MHz | 200/266/333MHz |
| 数据传输率 | 200/266/333/400MBPS | 400/533/667MBPS |
| 工作电压 | 2.5V | 1.8V |
| 针脚数 | 184Pin | 200Pin、220Pin、240Pin |
| 封装技术 | TSOP-II/CSP | CSP(FBGA)封装 |
| 最大功率 | 418毫瓦 | 318毫瓦 |
| 预取设计 | 2Bit | 4Bit |
| 突发长度 | 2/4/8 | 4/8 |
| L-BANK数量 | 最多4个 | 最多8个 |
| CL值 | 1.5、2.5、3.5、3 | 3、4、5 |
| AL值 | 无 | 0、1、2、3、4 |
| 接口标准 | SSTL_2 | SSTL_18 |
| 系统最高P-BANK数量 | 8 | 4 |
| 新增特性 | ? | COD、ODT、POSTED CAS |
相对来说,作为DDR的接班人的DDR II在总体仍保留了DDR-I的大部分特性,主要进行了以下几点改进: